油漆内电场将阻止空穴向晶界层深处的迁移

     油漆 冲击间隔过程中，造成正反偏Schottky势垒不对称畸变的主要原因是载流子注入的距离不够深，而势垒的畸变是由于界面中性费米能级的上移。

    当冲击继续作用于Schottky势垒，多次冲击引起大注入已经使正偏晶界处陷阱被填满，处于饱和状态，使注入的电子向晶界氟碳漆层深处扩散，有使整个晶界层中陷阱被注满的趋势，零场面不断向反偏晶界迁移，这样在负方向形成的热刺激电流峰值越来越大。随着电子不断地向晶界层深处的扩散，反偏晶界层深处的扩散，反偏晶界的中性费米能级也不断上升，但是，由于大注入形成的内电场将阻止空穴向晶界层深处的迁移。势垒高度明显降低，即在Schottky势垒的大注入仍存在一定程度的不对称畸变，但势垒高度明显降低，即在Schottky势垒的大注入过程中，Schottky势垒有线性化趋势，**后得到畸变后的Schottky势垒图。

   涂料 从以上的两个过程可以看到，在注入过程中，高密度陷阱对注入电子的大量捕获及储存效应引起了Schottky势垒的不对称畸变。